공모주<영창케미칼>-사업내용 정리

영창케미칼 공모주 청약이 모두 끝나고 배정도 모두 되었습니다. 저는 총 6주를 배정받았으며 영창케미칼의 상장일은 2022.07.14.입니다. 상장일에 알람을 잘 맞춰놓으시고 배정받으신분들은 잘 매도하시길 바랍니다. 상장일을 앞두고 영창케미칼 사업내용 및 제품들을 설명하겠습니다.

영창케미칼 사업 개요

2001년 설립과 함께 반도체 공정 재료 사업에 뛰어들어 적극적으로 R&D 투자, 핵심 기술 인재 육성, 제조 기반의 투자 확대를 수행해 왔습니다. 그 결과 최첨단 분야인 반도체 공정 재료 부문에서 특수 Surfactant와 polymer를 활용하여 ArF 공정 시 패턴 쓰러짐을 방지하는 용액 개발에 성공하여 상용화하였습니다. 축적된 기술을 바탕으로 2016년에는 EUV 공정용 패턴 쓰러짐 방지 용액과 현상액을 개발하였습니다. 또한 현상력 향상과 Profile 개선 효과가 있는 PHOTO Mask 현상액(Developer), Capacitor의 쓰러짐 방지와 세정력 향상을 위한 세정액, 높은 두께 및 고해상도가 가능한 다양한 KrF, i-Line Photoresist, BARC, SOC, CMP Slurry, Thinner류에 이르기까지 반도체 재료의 다변화와 신소재 제품 개발에 진력하며 한국 반도체 산업의 발전과 혁신에 이바지하고 있습니다. Slurry 및 Wet Chemical 소재의 생산능력 확보를 위해 성주일반산업단지에 2020년부터 2022년까지 4,818평 부지 규모에 200억원 가량의 설비투자를 진행하고 있으며, 이를 통해 기존 노광 공정용 소재와 더불어 후공정 소재까지 아우르는 '토탈 솔루션' 기업으로 진화할 것입니다.

출처 : 전자공시시스템

반도체 소재시장 진입

2001년 설립 이래 2003년 본사 및 제조공장 이전, 2007년 생산설비 증설 등 반도체 소재 시장 진입을 위해 노력하였습니다. 2004년에는 세계 최초로 KrF 및 ArF 포토레지스트용 린스액을 개발 및 상용화하여 본격적으로 반도체 소재 시장에 진입하였습니다. 그리고 2009년에는 국내 업체 최초로 I-Line Negative 포토레지스트 개발 및 상용화를 통해 포토레지스트 시장에도 성공적으로 진입하였으며, 특히 i-line 광원용 네거티브형 포토레지스트 개발과정에서 참고할 만한 기업이나 사례가 없는 상황에서 독자적으로 기술 개발을 이루어 냈습니다. 원료 샘플 확보조차 쉽지 않은 상황 속에서도 국내 기업으로서 첫 사례가 될 수 있다는 의지를 가지고 개발에 성공하였습니다. 또한 2008년 기업부설연구소 설립과 석박사급의 우수 인력 채용으로 미래 아이템 확보를 위한 R&D 개발에도 투자를 아끼지 않았으며, ISO 인증, 이노비즈 인증, 메인비증 인증, 벤처기업 인증 등 회사의 신뢰성 확보를 위해 노력하였습니다.

 

제품군 다변화

포토레지스트용 린스액과 포토레지스트 개발로 성공적으로 반도체 소재 시장에 진입한 당사는 설비와 R&D 투자에 박차를 가하며, 제품군과 고객사 확대를 위해 노력해왔습니다. 2014년에는 불화크립톤(KrF) 광원용 포토레지스트를 개발하고 상용화에도 성공하였습니다. 올해에는 40nm급 이하의 Top coat less ArF immersion 포토레지스트를 개발하여 국내외 소자 업체와 상용화 평가 모색 중이며, 최근 화두가 되고 있는 유기 및 무기 EUV 광원용 포토레지스트 개발에도 박차를 가하며 2023년까지 상용화를 목표로 하고 있습니다. 포토레지스트 소재 개발뿐만 아니라 wet chemical 분야에서도 좋은 성과를 보이고 있습니다. 반도체 White 공정용(통상 wet chemical라 명칭함) 제품군에서 일본 공급 비중이 높은 웨이퍼 가공 절삭유와 세정제를 2018년 개발을 완료하여 2019년부터 국산화에 성공하였으며, 이를 기반으로 해외 시장에 공급선을 확대해 나갈 계획입니다. 특히 CMP 소재는 가장 민감한 공정에 적용되어 국산화가 어려운 소재이나 국내 최초로 3D nand flash memory의 선택비 슬러리 양산화 및 공급에 성공하였습니다.

 

포토레지스트 (Photoresist)

반도체(Semiconductor)란 원판 형태의 실리콘 웨이퍼(Wafer) 위에 반도체 집적회로(Semiconductor integrated circuit)을 만들어 다양한 기능을 처리하고 저장할 수 있도록 한 것을 말합니다. 반도체의 집적도가 경쟁적으로 증가하면서 구성하는 단위 소자들 역시 더 작게 만들어야 하기 때문에 이를 구현하는 공정 기술이 매우 중요합니다. 최근에는 아래 그림과 같이 두 층 사이에 하드마스크 층(hardmask layer)이라는 유기물 층을 형성시켜 후속으로 이어지는 여러 차례의 식각 과정을 견디고 미세패턴이 만들어질 수 있도록 합니다. 반도체 회로가 그려진 후에는 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거해 내는 식각(Etching) 공정이 이어집니다. 

출처 : 전자공시시스템

SOC (Spin On Carbon Hardmask)

하드마스크 공정은 포토레지스트의 부족한 식각 내성을 확보할 수 있는 하드마스크 막질을 포토레지스트 층의 아래에 형성하여 포토레지스트 패너닝 한 후 포토레지스트의 패턴을 이용하여 원하는 피식각층을 식각하는 공정입니다. 반도체의 선폭이 미세화됨에 따라, 70nm 이하의 패턴을 구현함에 있어, 기존처럼 두꺼운 두께(>300nm)의 포토레지스트(PR)를 사용하게 되면, 높이/바닥 비율(aspect ratio)이 높아져서 패턴이 붕괴됩니다. 패턴의 크기가 작아짐에 따라 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상을 방지하기 위하여 포토레지스트의 두께가 점점 얇아지고, 얇아진 포토레지스트 패턴을 이용하여 피식각층을 식각할 수 없게 되어 포토레지스트층과 피식각층 사이에 식각 내성이 우수한 하드마스크 막질을 도입하였습니다.

 

Wet chemical

현상액(Developer)은 반도체 제조공정 중 리소그래피 공정에서 자외선에 노출된 포토레지스트의 노광/비노광 영역을 선택적으로 용해함으로써 패턴을 형성하는 기능을 가진 제품입니다. 이와 같이 형성된 포토레지스트 패턴은 이후 식각, 임플란트 공정 등의 마스크로 사용되거나 컬러필터와 같이 색상을 구현하는 역할을 하게 됩니다. 반도체 집적회로 등의 미세한 회로 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같습니다. 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막의 상부에 바인더 수지와 광중합성 모노머, 광중합 개시제, 유기용제 등을 포함하는 레지스트 조성물을 일정한 두께로 도포하고, 베이크(bake)하여 레지스트 막을 형성 다음으로, 형성된 레지스트 막의 상부에 소정 회로 패턴을 가지는 마스크를 장착한 다음, UV, E-빔, X-레이 등의 전자빔을 조사하여, 빛이 조사된 노광 부분과 빛이 조사되지 않은 비노광 부분 사이에 현상액에 대한 용해도 차이를 생기게 한 다음, 현상액을 사용하여 노광 또는 비노광 부분을 현상함으로써 목적하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 형성된 레지스트 패턴에 의하여 노출된 절연막 또는 도전성 금속막을 에칭하여 회로 패턴을 얻을 수 있습니다.